光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05
如何提高射频功率放大器效率？RF CMOS PA与GaAs PA的区别是什么？
2021-04-08 06:05
嗨，对于一个项目，我设计了一个带有 LPS25HBT 组件的 PCB。我们想知道是否有一些关于传感器边界条件的技术建议。我们是否必须设计传感器和边界之间有一定距离的盖子？传感器和盖子之间有一些距离或相对距离？如果 PCB 嵌入树脂中，传感器和树脂之间必须有一个最小距离。
2023-02-03 11:07
一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为
2019-06-25 07:04
一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为
2019-06-26 08:17
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
本文利用CAN总线可靠性高、成本低、配置灵活和传输速度快等优点，设计了一套基于CAN总线的GaAs光电阴极制备测控系统，可实现上述信息的实时测试和铯（氧）源电流的自动控制。
2021-05-11 06:46
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（ MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。
2021-04-06 08:32
去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用
2019-07-31 07:43
RF工程师1.至少一年 GaAs或SiGe 的射频电路设计经验，最好是有RF PA设计经验2.有GaAs或SiGe 版图经验3.熟练使用ADS和射频测试仪器CMOS 工程师1.1到2年的 LDO
2013-03-29 21:35
