This Article describes an analytical large-signal HBT model which accurately accounts
2019-08-02 14:35
光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05
discreteheterojunction bipolar transistor (HBT) suitable for awide range of RF driver applications
2009-05-12 11:35
嗨，对于一个项目，我设计了一个带有 LPS25HBT 组件的 PCB。我们想知道是否有一些关于传感器边界条件的技术建议。我们是否必须设计传感器和边界之间有一定距离的盖子？传感器和盖子之间有一些距离或相对距离？如果 PCB 嵌入树脂中，传感器和树脂之间必须有一个最小距离。
2023-02-03 11:07
://www.wetsemi.com/index.html 关键词：光刻胶附着力，砷化镓，湿蚀刻，表面处理，轮廓 概要报告了几个旨在修复 InGaP/GaAs NPN HBT 喷雾湿法化学蚀刻期间光刻胶粘附失效
2021-07-06 09:39
射频功放芯片设计工程师（GaAs/SiGe）工作地点：广州负责专用无线通信射频功率放大器芯片设计、测试与调试。职位要求：1、硕士研究生及以上，微电子及相关专业，3年以上工作经验；2、有成熟GaAs
2013-12-18 11:10
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的湿蚀刻编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技关键字：InGaP，湿法蚀刻，蚀刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23
高性能SiGe PLL与低相位噪声GaAs VCO配对，用于微波无线电
2019-09-26 11:03
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度计的设计与制作编号：JFSJ-21-042作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22
