制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN
2019-08-01 07:44
光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05
如何提高射频功率放大器效率？RF CMOS PA与GaAs PA的区别是什么？
2021-04-08 06:05
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41
影响PA设计的一些重要问题半导体技术有什么优劣势？
2021-04-22 06:39
RF工程师1.至少一年 GaAs或SiGe 的射频电路设计经验，最好是有RF PA设计经验2.有GaAs或SiGe 版图经验3.熟练使用ADS和射频测试仪器CMOS 工程师1.1到2年的 LDO
2013-03-29 21:35
本文将介绍 LNA 和PA 的作用和要求及其主要特性，然后介绍典型的 GaAs 和 GaN 器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记的事项。
2021-06-10 07:50
对性能、微型化和更高频率运行的推动正在挑战无线系统的两个关键天线连接元器件的限制：功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA)。使5G 成为现实的努力，以及PA 和LNA 在VSAT 端子、微波无线电链路和相控阵雷达系统中的使用促成了这种转变。
2019-09-04 07:52
新的方法利用精密数模转换器（DAC）和/或数字电位计的准确性和数字接口。横向扩散MOSFET（LDMOS）、砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）等不同的PA技术需要不同等级的栅极电压用于器件运行。例如
2018-09-10 14:48
