1.射频IC设计工程师-深圳 珠海 岗位职责：射频集成电路设计，负责LNA,PA,Mixer，PLL,AGC,BPF,LPF,LDO的设计，包括前仿，版图和后仿。任职条件：1、硕士及以上学历，电子
2014-07-03 10:47
制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN
2019-08-01 07:44
光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05
的射频电路设计经验，最好是有RF PA设计经验；有GaAs或SiGe 版图经验；熟练使用ADS和射频测试仪器。工作位置：广东区年薪范围：15W-25W欢迎推荐或者自荐QQ：1368313900MSN：murphy.li2012@hotmail.com请备注信息来
2013-04-02 11:15
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09
制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍LNA 和PA 的作用和要求及其主要特性，然后介绍典型的GaAs
2017-07-21 10:33
的新应用。本文将简要描述支持这些发展的半导体技术的状态、实现最佳性能的电路设计考虑因素，还列举了展现当今技术的GaAs和GaN宽带功率放大器(PA)。许多无线电子系统都可覆盖很宽的频率范围。在军事工业中，雷达频段
2018-10-17 10:35
射频功放芯片设计工程师（GaAs/SiGe）工作地点：广州负责专用无线通信射频功率放大器芯片设计、测试与调试。职位要求：1、硕士研究生及以上，微电子及相关专业，3年以上工作经验；2、有成熟GaAs
2013-12-18 11:10
制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍LNA 和PA 的作用和要求及其主要特性，然后介绍典型的GaAs
2019-05-14 19:11
新的方法利用精密数模转换器（DAC）和/或数字电位计的准确性和数字接口。横向扩散MOSFET（LDMOS）、砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）等不同的PA技术需要不同等级的栅极电压用于器件运行。例如
2018-09-10 14:48
