### 一、产品简介**型号:2605GY-VB**VBsemi的2605GY-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。它具有-30V的漏源电压、-4.8A的漏极电流承载
2024-07-10 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
各种功率控制和开关电路。### 二、2623GY-VB详细参数说明- **型号:** 2623GY-VB- **封装类型:** SOT23-6- **配置:**
2024-07-10 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi的2604GY-VB是一款N沟道MOSFET,适用于各种低压、中压和高压应用。它具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力,内部电阻(RDS(ON))为30
2024-05-20 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
电路设计和高密度集成。### 详细参数说明- **封装类型**:SOT23-6- **配置**:单P沟道- **漏源电压 (VDS)**:-30V- **栅源电压 (V
2024-07-10 17:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 2602GY-VB是一款N沟道MOSFET功率场效应管,具有30V的额定电压和6A的额定电流。其低导通电阻(RDS(ON))和低阈值电压(Vth)使其在各种应用中表
2024-05-20 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
=10V时,导通电阻为30mΩ。阈值电压(Vth)为1.2V。### 详细参数说明- **型号**: 2606GY-HF-VB- **品牌**: VBsemi- **
2024-06-19 11:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 2612GY-HF-VB是一款N沟道MOSFET功率场效应管,具有30V的额定电压和6A的额定电流。其低导通电阻(RDS(ON))和低阈值电压(Vth)使其在各种
2024-06-19 13:37 微碧半导体VBsemi 企业号