和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00
的內置柵極驅動器使 LT3496 能夠工作於降壓、升壓、SEPIC 或降壓-升壓模式，並提供高達 3000:1 的 True Color PWM? 調光比。LT3496
2009-09-23 12:07
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2012-11-07 21:20
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
光电耦合器HCPL316J资料下载内容主要介绍了：HCPL-316J功能和特性HCPL-316J引脚功能HCPL-316J
2021-03-24 06:41
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42
电源和高压直流工业电源等三相隔离变换器中（图3）。本图比较了15KW市面上量产硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFETR的20KW方案的尺寸和拓扑，从结果上看，该碳化硅
2016-08-05 14:32
