解决方案需要额外的 IC，这会增加额外的复杂性和挑战。在本文中，作者介绍了一种兼容 GaN FET 的模拟控制器，该控制器的物料清单数量少，使设计人员能够像使用硅 FET 一样简单地设计同步降压转换器，并提供卓越的
2022-08-04 09:58
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影
2015-11-08 18:00
在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个600V GaN
2018-07-10 10:18
在过去几年里，GaN技术，特别是硅基GaN HEMT技术，已成为电源工程师的关注重点。该技术承诺提供许多应用所需的大功率高性能和高频开关能力。然而，随着商用GaN FET
2023-02-09 09:34
LED芯片由磷化鎵（GaP），鎵铝砷（GaAlAs），或砷化鎵（GaAs），氮化鎵（
2016-08-05 18:00
本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。
2022-03-17 08:29
GaN近期为何这么火？如果再有人这么问你，你可以这样回答：因为我们离不开电源。
2023-11-02 10:32
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39
氮化镓（氮化镓）是一种半导体材料，是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比，GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率
2023-02-13 16:28
