氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28
对比GaN FET：新的集成系统大型数据中心、企业服务器和通信交换中心会消耗大量电能。在这些电源系统中，FET通常与栅极驱动器分开封装，因为它们使用不同的工艺技术，并且最终会产生额外的寄生电感。除了导致较大的形状尺寸
2022-11-07 06:26
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27
作者： Grant Smith，德州仪器 (TI)业务拓展经理简介功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高
2019-07-12 12:56
GAN的数学推导和案例应用
2020-04-13 09:34
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功
2022-11-04 06:18
