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具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30m? GaN FET VDS (Max) (V) 650 RDS (on) (Milliohm)

2022-12-20 15:04 华秋商城 企业号

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具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的汽车类 650V、30m? GaN FET VDS (Max) (V) 650 RDS (on) (

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Catalog 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器 80V 连续电压，100V 脉冲电压额定值 封装经过优化，可实现简单的 PCB 布局，无需考虑底层填

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具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 VDS (Max) (V) 650 RDS (on) (Milliohm) 170 ID (

2022-12-20 15:04 华秋商城 企业号

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具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50m? GaN FET VDS (Max) (V) 600 RDS (on) (Milliohm) 50 ID (Max

2022-12-20 15:04 华秋商城 企业号

型号：WGC22630是CREE公司推出的一款高性能热增强<b class='flag-s-7'>GaN</b>（ 品牌：

如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） WGC22630 热增强GaN放大器概述WGC22630是CREE公司推出的一款高性能热增强GaN（氮化镓

2024-10-19 20:09 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

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具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30m? GaN FET VDS (Max) (V) 600 RDS (on) (Milliohm) 30 ID (Max

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型号：QPD1016L <b class='flag-s-7'>GaN</b>射频晶体管 品牌：

Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN

2024-02-26 19:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号