GAAFET，是什么技术？
2023-12-04 15:37
三星的3nm工艺节点采用的GAAFET晶体管是什么？
2019-05-17 15:38
随着三星Exynos 990和麒麟990移动平台的问世，一种名为7nm+EUV的全新工艺登上了历史舞台。 与此同时，FinFET晶体管技术也已有望被GAAFET所取代，未来的SoC芯片将因这两种
2020-08-25 10:20
台积电正式公布2nm制造技术，首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，而非现在的FinFET鳍式场效应晶体管技术，GAAFET技术将大大降低了漏电流和降低功耗的能力。
2022-07-05 17:06
由华人科学家胡正明教授发明的FinFET（鳍式场效应晶体管）预计在5nm节点之后走向终结，三星的方案是GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。
2020-04-15 09:31
今日，台积电在其举办的技术论坛会中展示了2nm（N2）工艺以及其它的一些先进制程。 在大会上，台积电展示了N3工艺最新的FINFLEX技术，该技术扩展了采用3nm制程产品的性能、功率等，能够让芯片设计者在芯片的每个关键功能块上做出最佳的选择。 据台积电放出的技术发展图来看，台积电的N3工艺将会在今年下半年开始量产，并且这一代N3工艺将会持续发展至2025年，其中会扩产出N3E、N3P和N3X工艺，今年除了N3工艺外，N4P和N6RF这两种全新工艺也会在下半年
2022-06-17 16:13
韩国三星电子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上发布工艺设计套件（PDK）0.1版3nm Gate-All-Around（GAA）工艺3GAE。 与7 nm工艺相比，3GAE可将芯片面积减少高达45％，降低50％的功耗或实现35％的性能提升。基于GAA的过程节点有望用于下一代应用，如移动，网络，汽车，AI和物联网。 3GAE的特点是采用GAA的专利变体MBCFET（多桥通道FET）而不是传统的GAA，该公司已经完成了测试车辆设计，并将专注于提高其性能和功率效率。 图：晶体管结构的转变 在传统的GAA中，
2019-05-17 11:29
美国对中国大陆限制半导体 3 纳米 EDA 设计工具，凸显 EDA 在芯片设计关键角色，EDA 产业高度集中，前 3 大厂以美商为主。
2022-09-06 15:38
GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。
2021-03-23 10:36
上个月，台积电度在北美技术论坛上宣布即将推出2nm芯片，将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，预计2025年实现量产。
2022-07-07 17:43
