（Source）、漏（Drain）、控制栅（ControlGate）和浮栅（FloatingGate）。 Flash 器件与普通MOS管的主要区别在于浮栅，Flash 器件
2023-09-09 14:27
IGBT及其子器件的几种失效模式
2010-02-22 10:50
IGBT正面制程和与Trench MOSFET类似，但背面加工的要求极高。华虹宏力在产能规模上是全球领先的功率分立器件200mm代工厂，在功率器件产品稳定量产上拥有15年的经验，是目前国内唯一拥有IGBT全套背面加工
2019-10-18 09:34
香港， 2017年3月30日 - （亚太商讯） - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.HK）今天宣布，公司功率器件平台
2017-03-30 15:37
全球领先的纯晶圆代工企业华虹半导体已经发布了2019年最新一季度的财报数据。第三季度收入2.39亿美元。该公司五大主要业务中，分立器件贡献值最大，同比上涨10.9%，并连续多个季度保持增长趋势
2019-11-14 12:10
本文以某项目的具体电路为例，阐述在SOPC系统中如何利用Flash来保存用户程序。FPGA为Altera公司的Cyclone EP1C6，Flash为AMD公司的AM29LV160D，外接RAM为
2023-08-03 15:55
全资子公司华虹宏力将与华虹集团、上海华力签订合营协议，成立合营公司，从事投资、 咨询(包括企业、业务及投资咨询）及集成电路的销售及服务。 集微网消息，11月20日晚间，华虹半导体发布公告称，全资
2020-11-26 10:13
华虹NEC亮相IIC-China 2010 上海华虹NEC电子有限公司（“华虹NEC”）携其最新工艺技术与设计支持平台，参加了于2010年3月4-5日举行的第十五届国际集成电路
2010-03-19 09:16
该发明涉及一种半导体器件，包含底座，又划分为第一和第二园区，一个位于另两个邻侧之间；两个子漏区，坐落于底座的第一园区；虚拟结构，位于两子漏区间的底座上；源区，位于底座的第二园区；栅极结构，位于第一和第二园区之间的底座上。
2024-04-12 10:17
华虹投资注册资本为4.8亿元人民币，根据合营协议，华虹宏力同意以现金出资人民币9,600万元，占合营公司出资总额的20%；华虹集团及上海华力同意分别以现金出资人民币2.88亿元及人民币9,600万元
2020-11-27 09:55
