（Source）、漏（Drain）、控制栅（ControlGate）和浮栅（FloatingGate）。 Flash 器件与普通MOS管的主要区别在于浮栅，Flash 器件
2023-09-09 14:27
IGBT及其子器件的几种失效模式
2010-02-22 10:50
IGBT正面制程和与Trench MOSFET类似，但背面加工的要求极高。华虹宏力在产能规模上是全球领先的功率分立器件200mm代工厂，在功率器件产品稳定量产上拥有15年的经验，是目前国内唯一拥有IGBT全套背面加工
2019-10-18 09:34
FLASH6-C3 - ANALOG IP BLOCK FLASH6 - CMOS 6-Bit FLASH A/D CONVERTER - austriamicrosystems AG
2022-11-04 17:22
扩展子板设计概述本文节选自特权同学的图书《FPGA设计实战演练（逻辑篇）》配套例程下载链接：http://pan.baidu.com/s/1pJ5bCtt如图3.43所示，前面我们围绕FPGA器件
2019-04-12 05:47
本文基于研究和发展基于声子晶体的声表面波器件技术，其在电子工程、通信技术等领域有着广泛的应用，通过对国内外基于声子晶体的 声表面波 器件研究的分析与总结，介绍并讨论
2011-05-30 17:06
香港， 2017年3月30日 - （亚太商讯） - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.HK）今天宣布，公司功率器件平台
2017-03-30 15:37
模糊控制理论的发展及应用_曹伟
2017-02-07 16:58
