關於三極管工作原理。
2013-08-26 11:42
半導體放電管是基於晶閘管原理和結構的一種兩端負阻器件。可以吸收突波，抑制過高電壓，達到保護易損組件的目的。該 器件是在矽單晶片兩面同時摻雜同種雜質而形成。簡單的結構如圖
2014-03-13 10:32
線路中使用的關鍵因素，在這種情況下，一般用一個TVS管與一個快恢復二極體以背對背的方式連接，由於快恢復二極體有較小的結電
2013-12-03 13:08
“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体还有晶体管和阻容元件等（现在多集成为一个芯片），因此体积稍大。
2021-05-25 06:20
利用简单几个元件制作一个可测量10kHz-100MHz晶振的测试电路（电路如图），三极管9018和所接阻容元件构成多频振荡器，经2200P电容耦合和IN4148二极管检
2021-05-07 06:56
原理FET 與電晶體一樣都是屬三端子半導體元件，雖然它的外形隨著用途有各種形狀，不過動作原理卻完全相同。如圖1 所示FET 依照內部結構可以分成2 大類，分別是Gate Channel 之間有二
2009-09-24 15:40
固定的VCC，用G极来控制管子的导通截止。用作下管时，因为S极电源不确定，无法确定G极电压来控制管子的导通截止。今天的问题并不是这个，而是说DC-DC上管为什么用NMOS的多，而不是PMOS。上管用NMOS，还要用到自举电容，麻烦还增加成本。关于自举电容，可以看这
2021-11-17 08:05
筛选的话,可搭一个单管”晶体“震荡电路,晶体的两个端子接个两孔小插座,作为测试晶振的插孔,用示波器或频率计测试其输出信号,还可测得频率精度;若无这两种仪器,可自制一个倍压检波探头,整流成一直流电压再用
2012-12-10 13:59
的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的
2014-12-25 15:12
检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可有效的检验任何晶振的好坏。
2008-10-16 12:40
