FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存
2021-06-08 16:39
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23
1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。 这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证，支持更宽泛的温
2023-08-09 14:32
FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件 世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM) 和集成半导
2009-08-18 11:58
和横跨传统市场的业务覆盖。Cypress代理英尚微给大家分享一款具有扩展温度的2Mbit串行FRAM存储器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35
Altera公司的28nm Stratix V FPGA包括增强的核架构,高达28Gbps和低功耗低BER的收发器,以及硬IP区块阵列等. Stratix V FPGA
2010-05-31 14:30
伟凌创芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先进的全CMOS工艺技术制造，位宽64Kx 16位，电源电压为2.7V~3.6V，支持三态输出和TTL兼容和工业温度范围和芯片级封装，以实现系统设计的用户灵活性。还支持低数据保持电压，以实现低数据保持电流的电池
2021-09-28 16:29
DS28E04-100是具有7个地址输入的4096位，1-Wire® EEPROM芯片。地址输入直接映射到1-Wire 64位器件ID号上，使主机系统能够在多器件1-W
2011-12-23 10:44
信号0.5MHz频偏为100%的FM调制电路
2009-03-21 19:17
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富
2013-03-25 16:09
