MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
2023-03-28 22:31
类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.586nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):218pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
2024-06-20 20:29
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。
2012-08-10 09:58
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
2023-03-29 14:29
类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@4.5V,2.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.5nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):305pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):50pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
2024-06-20 20:35
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
2023-03-28 22:31
关于PZT的驱动开关电路参考
2025-01-17 16:37
PZT薄膜的制备及特性
2009-10-25 12:28
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2021-07-24 16:00
PZT2222A
2023-03-29 21:48