大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
2020-03-22 14:28
本文简单介绍了极紫外光（EUV）掩膜版的相关知识，包括其构造与作用、清洗中的挑战以及相关解决方案。
2024-12-27 09:26
0.5以上，而从***的分辨率公式——***分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA数字越大，***分辨率越高，所以提高NA数值孔径是下一代EUV***的关键，毕竟
2019-07-13 09:40
随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 （EUV） 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32
目前，商用EUV光刻机采用激光等离子体型-极紫外（LPP-EUV）光源系统，主要由驱动激光器、液滴锡靶、收集镜组成。
2024-02-21 10:18
采用曲线掩模的另一个挑战是需要将两个掩模缝合在一起以在晶圆上形成完整的图像。对于高数值孔径 EUV，半场掩模的拼接误差是一个主要问题。
2023-10-23 12:21
随机变化需要新方法、新工具，以及不同公司之间的合作。 极紫外（EUV）光刻技术正在接近生产，但是随机性变化又称为随机效应正在重新浮出水面，并为这项期待已久的技术带来了更多的挑战
2018-03-31 11:52
EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术，简单来说，就是以极紫外光作“刀”，对芯片上的晶圆进行雕刻，让芯片上的电路变成人们想要的图案。
2022-10-10 11:15
EUV光刻机的唯一供应商ASML在2017年度Semicon West半导体设备展上也表示，250瓦的EUV光源也万事俱备。公司2017年财报中也强调，其EUV光刻机满足了125WPH（每小时生产
2018-01-23 14:51
技术节点的发展推动着半导体曝光技术解像度(Half Pitch)的发展，ArF液浸曝光技术和EUV曝光技术等的解像度(R)和曝光波长(λ)成正比，和光学的数值孔径(NA，Numerical Aperture)成反比，也就是说，如果要增大解像度，需要在缩短波长的同时，扩大数值孔径。
2019-01-17 09:31
