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  • 看一下EUV光刻的整个过程

    EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术,简单来说,就是以极紫外光作“刀”,对芯片上的晶圆进行雕刻,让芯片上的电路变成人们想要的图案。

    2022-10-10 11:15

  • 光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

    在100μm之内,离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有1~2μm为。她的主要作用就是在电路上进行修补 ,和生产线制成异常分析或者进行光阻切割。 EUV 光刻技术 在

    2018-06-27 15:43

  • 极紫外(EUV光刻新挑战,除了光刻胶还有啥?

    随机变化需要新方法、新工具,以及不同公司之间的合作。 极紫外(EUV光刻技术正在接近生产,但是随机性变化又称为随机效应正在重新浮出水面,并为这项期待已久的技术带来了更多的挑战

    2018-03-31 11:52

  • 浅析光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

    光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。光刻也是制造芯片的最关键技术,他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技与社会发展中,

    2019-02-25 10:07

  • 干货!光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

    光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。

    2019-03-02 09:41

  • DSA技术:突破EUV光刻瓶颈的革命性解决方案

    剂量的需求也加剧,从而造成了生产力的瓶颈。DSA技术:一种革命性的方法DSA技术通过利用嵌段共聚物的分子行为来解决EUV光刻面临的挑战。嵌段共聚物由两个或多个化学性

    2025-03-19 11:10 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

  • 光学光刻EUV光刻中的掩膜与晶圆形貌效应

    对先进光刻掩膜光衍射的精密EMF模拟已成为预知光刻模拟的必做工作。

    2012-05-04 16:28

  • 极紫外(EUV光刻新挑战 光刻胶只是其一

    光刻胶是用来制作图案的光敏聚合物,它是造成随机性效应的罪魁祸首之一。根据定义,随机效应描述了具有光量子随机变化的事件。它们是不可预测的,没有稳定的模式。

    2018-03-27 08:09

  • 助力高级光刻技术:存储和运输EUV掩模面临的挑战

    随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限,极紫外 (EUV光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点,EUV 光刻技术是一种能够简

    2019-07-03 15:32

  • 微纳制造技术:定向自组装(DSA)终于找到了立足点

    英特尔的发言人表示,该公司目前正在寻求多种利用定向自组装(DSA)的集成工艺流程。“我们在 SPIE 等会议上公开讨论过的一个工艺流程是使用 DSA 进行 EUV 光刻胶校正。DSA 可以从根本上

    2023-08-22 18:11