，光源是ArF（氟化氩）准分子激光器，从45nm到10/7nm工艺都可以使用这种光刻机，但是到了7nm这个节点已经的DUV光刻的极限，所以Intel、三星和台积电都会在7nm这个节点引入极紫外光（EUV
2020-07-07 14:22
ofweek电子工程网讯 国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体
2017-11-14 16:24
据羊城晚报报道，近日中芯国际从荷兰进口的一台大型光刻机，顺利通过深圳出口加工区场站两道闸口进入厂区，中芯国际发表公告称该光刻机并非此前盛传的EUV光刻机，主要用于企业复
2021-07-29 09:36
快照】：极紫外(EUV)光刻技术一直被认为是光学光刻技术之后最有前途的光刻技术之一,国际上对EUV
2010-04-22 11:41
这些设置1。 灵活性：用户可以根据需要选择不同的仿真技术，如DUV、Immersion、EUV等，并且可以处理严格/标量、偏振、像差和抗蚀剂模型1。 分布式计算支持：HyperLith支持
2024-11-29 22:18
。光刻机的曝光波长也在由紫外谱g线 (436nm)→i线(365nm)→248nm→193nm→极紫外光（EUV）→X射线，甚至采用非光学光刻（电子束曝光、离子束曝光），光刻
2018-08-23 11:56
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 编辑 先分享光刻的参考资料。============================2014-10-17========光刻分类
2014-09-26 10:35
随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃
2012-01-12 10:51
三种常见的光刻技术方法根据暴光方法的不同,可以划分为接触式光刻,接近式光刻和投影式光刻三种光刻技术。 ◆投影式暴光是利用
2012-01-12 10:56
