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  • 一文看懂EUV光刻

    极紫外 (EUV) 光刻系统是当今使用的最先进的光刻系统。本文将介绍这项重要但复杂的技术。

    2023-06-06 11:23

  • EUV光刻技术优势及挑战

    EUV光刻技术仍被认为是实现半导体行业持续创新的关键途径。随着技术的不断发展和成熟,预计EUV光刻将在未来继续推动芯片制程的进步。

    2023-05-18 15:49

  • EUV光刻技术面临新挑战者

      EUV光刻有多强?目前来看,没有EUV光刻,业界就无法制造7nm制程以下的芯片。EUV

    2025-02-18 09:31

  • EUV光刻设备很好卖

    11月25日,市场研究公司总裁罗伯特·卡斯特拉诺(Robert Castellano)表示:“过去三年来,应用材料一直在晶圆制造前段工序(WFE)的设备市场上失去市场份额,而 ASML却将凭借其价格高昂的EUV光刻设备大批出货实现超越,取代应用材料成为最大的半导体

    2019-11-26 15:06

  • 浅谈EUV光刻的基础知识 EUV光刻如何制造芯片?

    大多数人没有意识到芯片制造是国家经济的核心。通过阅读您的书,EUV 的开发过程始于美国的英特尔,然后完全脱离了英特尔。一家荷兰公司如何拥有这项关键的芯片制造技术?

    2023-02-15 10:34

  • EUV光刻技术相关的材料

    与此同时,在ASML看来,下一代高NA EUV光刻机为光刻胶再度带来了挑战,更少的随机效应、更高的分辨率和更薄的厚度。首先传统的正胶和负胶肯定是没法用了,DUV光刻机上

    2022-07-22 10:40

  • 193 nm ArF浸没式光刻技术和EUV光刻技术

    翁寿松(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU:(1)美国俄勒冈州Fab PID厂,2007年下半年量产;(2)美国亚利桑那州Fab 32厂,投资30亿美元,2007年末量产;(3)以色列Fab 28厂,投资35亿美元,2008年上半年量产;(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂,投资10~15亿美元,从90 nm过渡至45 nm,它是英特尔产首座300 mm晶圆厂,也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上,英特尔将于2009年推出32nmMPU,2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存,3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。

    2019-07-01 07:22

  • 华为最新消息 EUV光刻技术新专利面市

    号为 CN202110524685.X。这能解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题,这个也是 EUV 光刻常见问题。 从介绍中可以看出,该专利提供了一种光刻装置,通过不断改变相干光形成的干涉图样,使得照明视场

    2022-11-21 15:10

  • EUV光刻技术助力半导体行业发展

    EUV光刻技术为半导体制造商提供一个前所未有的速度开发最强大芯片的机会。

    2022-04-07 14:49

  • EUV光刻工艺终于商业化 新一代EUV光刻工艺正在筹备

    随着三星宣布7nm EUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV

    2018-10-30 16:28