）光刻技术，而GlobalFoundries当年也曾经研究过7nm EUV工艺，只不过现在已经放弃了。 而使用极紫外光（EUV）作为光源的
2020-07-07 14:22
，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？EUV面向7nm和5nm节点所谓极紫外光刻，是一种应用于现代集成电路制造的
2017-11-14 16:24
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新
2012-01-12 10:51
快照】：极紫外(EUV)光刻技术一直被认为是光学光刻技术之后最有前途的光刻
2010-04-22 11:41
三种常见的光刻技术方法根据暴光方法的不同,可以划分为接触式光刻,接近式光刻和投影式光刻三种
2012-01-12 10:56
这些设置1。 灵活性：用户可以根据需要选择不同的仿真技术，如DUV、Immersion、EUV等，并且可以处理严格/标量、偏振、像差和抗蚀剂模型1。 分布式计算支持：HyperLith支持
2024-11-29 22:18
（电子科技大学 微电子与固体电子学院，成都 610054）摘 要：光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分
2018-08-23 11:56
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
中国科学院大学（以下简称国科大）微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院，国科大微电子学院开设的《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》课程是国内少有的研究讨论光刻技术
2021-10-14 09:58
