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  • 193 nm ArF浸没式光刻技术EUV光刻技术

    翁寿松(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU:(1)美国俄勒冈州Fab PID厂,2007年下半年量产;(2)美国亚利桑那州Fab 32厂,投资30亿美元,2007年末量产;(3)以色列Fab 28厂,投资35亿美元,2008年上半年量产;(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂,投资10~15亿美元,从90 nm过渡至45 nm,它是英特尔产首座300 mm晶圆厂,也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上,英特尔将于2009年推出32nmMPU,2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存,3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。

    2019-07-01 07:22

  • EUV光刻技术面临新挑战者

      EUV光刻有多强?目前来看,没有EUV光刻,业界就无法制造7nm制程以下的芯片。EUV

    2025-02-18 09:31

  • EUV光刻技术相关的材料

    与此同时,在ASML看来,下一代高NA EUV光刻机为光刻胶再度带来了挑战,更少的随机效应、更高的分辨率和更薄的厚度。首先传统的正胶和负胶肯定是没法用了,DUV光刻机上

    2022-07-22 10:40

  • EUV光刻技术助力半导体行业发展

    EUV光刻技术为半导体制造商提供一个前所未有的速度开发最强大芯片的机会。

    2022-04-07 14:49

  • 关于EUV光刻技术的分析和应用

    所以,很多用来提高细微化的办法都被限制了,因为波长和数值孔径是固定的,剩下的就是工程系数。光学方面,通过降低工程系数,可以提高解像度。和ArF液浸曝光技术一样,通过和Multi-patterning 技术组合起来,就可以达到实质上降低工程系数的效果。

    2019-08-29 08:41

  • 光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

    在100μm之内,离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有1~2μm为。她的主要作用就是在电路上进行修补 ,和生产线制成异常分析或者进行光阻切割。 EUV 光刻技术

    2018-06-27 15:43

  • 日本大学研发出新极紫外(EUV)光刻技术

    近日,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)发布了一项重大研究报告,宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外(EUV光刻技术。这一创新

    2024-08-03 12:45

  • 华为最新消息 EUV光刻技术新专利面市

    号为 CN202110524685.X。这能解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题,这个也是 EUV 光刻常见问题。 从介绍中可以看出,该专利提供了一种光刻装置,通过不断改变相干光形成的干涉图样,使得照明视场

    2022-11-21 15:10

  • 浅析光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

    光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻技术光刻也是制造芯片的最关键

    2019-02-25 10:07

  • 干货!光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

    光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻技术

    2019-03-02 09:41