。### AP09N20J-HF-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源极电压 (VDS)**: 200V- **
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
EP4CE10F17C8N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17C8N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:00 深圳市金和信科技有限公司 企业号
EP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号
合。### 9916J-VB 详细参数说明- **Package(封装):** TO251- **Configuration(配置):** 单 N 沟道- **VDS(漏极
2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号
的应用场合。### 9912J-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)**: 30
2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
EP4CE6F17C8N ,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE6F17C8N ,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:05 深圳市金和信科技有限公司 企业号
应用。### 详细参数说明- **型号**: 9960J-VB- **封装**: TO251- **配置**: 单通道N沟道- **漏源电压 (VDS)**: 40V- **栅源
2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号:** 9915J-VB **封装形式:** TO251 **配置:** 单N沟道MOSFET **技术:** Trench技术
2024-11-26 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号