追求更小的 DRAM 单元尺寸（cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点，DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um²。无论考虑使用 DUV 还是 EUV 光刻，图案化
2023-01-30 16:40
DRAM制程推进已很缓慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也许可以推进到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投资甚钜、所得甚微的最后努力。对于一个商业公司，最合理的是采取收割策略，少量投资，改善良率，并且利
2018-10-14 09:38
美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠，并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28
1 月 27 日消息 内存与存储解决方案供应商美光科技今日宣布批量出货基于 1α （1-alpha） 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56
2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04
美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana认为，全新的 1α 技术将为手机行业带来最低功耗的 DRAM，针对今年云端市场、5G手机和汽车内存需求带动DRAM产能紧缺，他也发表了专业的看法。
2021-02-02 17:07
美国存储器大厂美光（Micron）对于台湾地区台中厂扩建一案提出正式回应说明。美光表示，如同美光于公布2019会计年度第三季度财报时所言，今年4月美光于台中的无尘室扩建工程正式动土。
2019-09-03 16:23
DRAM的制程的进步需要1、2纳米的逐步攻克，产能的增加只能靠近乎纯机器设备的投资；而3D Flash犹享有类摩尔定律的增长。
2018-05-16 15:30
1月27日，美光宣布批量出货基于1α (1-alpha) 节点的DRAM产品。对比美光上一代1z DRAM制程1α技术将内存密度提升了40%。
2021-01-28 09:52
就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D，而DRAM还是维持2D架构;在此同时，DRAM制程的微缩也变得越来越困难，主要是因为储存电容的深宽比（aspect
2018-10-28 10:17
