的阈值电压（Vth），以及10.3A的漏极电流（ID）。42DN20N-VB采用沟槽技术，提供高性能和可靠性，适用于多种高压应用场合。### 二、42DN20N-
2024-11-08 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
器件在10V栅极驱动电压下具有85mΩ的导通电阻，适用于中压应用场合，如电源管理、电池管理、电动工具等，具有高效能量转换和稳定性能。### 二、22DN20N-V
2024-07-09 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
了先进的沟槽技术制造。它具有较低的导通电阻（RDS(ON)），适用于250V的漏源电压（VDS），可提供稳定可靠的功率开关性能。### 16DN25N-VB DFN
2024-07-08 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件，它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
MQH-3R510Marki Microwave 的 MQH-3R510 是 90 度混合耦合器，频率 3.5 至 10 GHz，插入损耗 1.8 至 4 dB（芯片），2
2023-04-28 16:02 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 产品简介VBsemi的12DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电
2024-07-05 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
，适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
AT93C46DN-SH-T EEPROM 详解与应用在电子产品设计中，非易失性存储器的选择对系统的稳定性和可靠性至关重要。AT93C46DN-SH-T是美国微芯科技（Microchip
2024-11-05 10:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
