SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS
2023-11-30 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号
WTC2305DS-VB 丝印: VB2355 品牌: VBsemi**详细参数说明：**- 封装类型：SOT23- 沟道类型：P—Channel- 最大漏极电压：-30V- 最大漏极电流
2024-04-12 10:31 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI2305DS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：- 封装类型：SOT23- 沟道类型：P—Channel- 最大漏电压（Vds）：-20V- 最大漏极电流（Id
2023-12-22 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi SPP2305DS23RGB-VB**- **参数说明:** - 类型: P—Channel MOSFET - 额定电压（V_DS）: -30V
2024-04-08 13:45 微碧半导体VBsemi 企业号
：-0.81V**应用简介：**2305-CMN2305-VB是VBsemi推出的P-Channel沟道场效应晶体管，适用于多种电路和模块。以下是该产品可能的应用领域
2024-03-25 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号
**详细参数说明：**- 产品型号: SI2305BDS-T1-GE3-VB- 品牌: VBsemi- 丝印: VB2290- 封装: SOT23- 沟道类型: P—Channel- 最大耐压
2024-04-03 16:51 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23
2023-12-09 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装
2023-12-09 14:55 微碧半导体VBsemi 企业号
SSM2305采用高功效、低噪声调制方案，无需外部LC输出滤波器。即使输出功率较低时，该调制方案也能提供高功效。采用5.0 V电源时，以1.3 W功率驱动8 Ω负载时的功效比为90%，以2.2 W
2023-07-10 14:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
