`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
使用内部软启动的典型应用电路，VIN = 12 V，VOUT = 1.8 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz，用于ADP2386 20V，
2019-08-12 07:38
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备
2019-08-02 08:07
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结
2021-03-08 16:42
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CG
2019-04-29 09:18
：不含卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定TrenchFET® 功率 MOSFET典型 ESD 保护:800V符合 AEC-Q101经 100% Rg 和 UIS 测试VDS(
2019-07-09 17:30
入功率不隨輸入電壓變化。晶元特性：簡易之線性定電流元件, 效率：＞ 90%80mA 四通道定電流驅動器高功率因數>95% 低諧波失真<2
2016-10-28 09:45
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-60V•ID (at VGS
2019-03-13 10:54
RT8560 1MHz，20mA满量程电流PWM到模拟调光控制的典型应用。 RT8560是一款60V 4通道LED驱动器，每个通道可提供30mA电流，15个LED（每个二极管3.6V）共
2019-10-17 08:45
