40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 I
2018-10-23 16:21
/600v-coolmos-n-channel-power-mosfet/IPW60R041C6/productType.html?productType=db3a304426e7f13b0127f2050dcb45
2020-05-15 05:55
散热器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等贴片封装，从而大幅简化热管理。 因此，可以提高开关电源的功率密度，同时降低系统成本。 继去年发布展示有巨大优势的全新30V硅技术产品之后
2018-12-06 09:46
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
使用内部软启动的典型应用电路，VIN = 12 V，VOUT = 1.8 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz，用于ADP2386 20V，
2019-08-12 07:38
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 14:26 编辑 原理圖如下圖所示，需設計部分為“黑色方塊”部分描述：輸入為電源功率器輸出的DC最大電壓60V
2013-10-05 08:22
ICE2QS03G作为功率转换控制芯片，CoolMOS™ IPL65R190E6作为反激开关管，IR1161LTRPBF作为次级同步整流控制芯片，BSC035N10NS5作为次级同步整流
2017-04-12 18:43
直流電壓(±10mV,0-20mV,0-50mV,±200mV,±1V,±10V,0-5V)直流電流：4-20mA (外
2013-07-25 13:58
壓 (±10mV,0-20mV,0-50mV,±200mV,±1V,±10V,0-5V) 直流電流：4-20mA(外接電
2013-08-05 13:47
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CG
2019-04-29 09:18
