Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率
2021-04-21 17:50
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V
2011-11-01 09:26
Parksonx 60N10 N型沟道MOSFET
2024-05-31 10:50
小信号应用60V功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率
2009-12-31 09:59
恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC 中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36
UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中
2019-05-14 15:08
NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 10:49
德州仪器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-
2016-07-18 17:12
Qorvo，全球领先的综合连接和电源解决方案供应商，近日发布了其全新车规级碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装，实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS
2024-02-01 10:18
