`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备
2019-08-02 08:07
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装：SOT23-
2021-03-08 16:42
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示
2019-04-29 09:18
1N60、1N60P_小电流低压降_肖特基二极管1N60、1N60P_小电流低压降_肖特基二极管
2013-05-14 15:51
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的
2020-04-30 15:13
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06
。 ADP2386是一款同步降压DC-DC稳压器，集成44 mohm高侧功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET，采用紧凑的4 mm×4 mm LFCSP封
2019-08-12 07:38
：不含卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定TrenchFET® 功率 MOSFET典型 ESD 保护:800V符合 AEC-Q101经 100% Rg 和 UIS 测试VDS(
2019-07-09 17:30
、高压H桥PMW马达驱动、DC-DC电源转换器三款产品中。FHP10N60场效应管的特点是10A, 600V, RDS(on) = 0.85Ω(max) @VGS = 10 V
2020-09-30 07:05
