40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 I
2018-10-23 16:21
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器
2018-03-03 13:58
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平
2010-04-15 09:51
，另一个与积极联系起来？增强型（“常关”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为 3 至 5 伏）时，N
2023-02-02 16:26
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧
2021-04-09 09:20
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0
2010-08-17 09:21
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论
2021-03-02 08:40
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET 描述： AP2222
2024-10-08 11:34
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N
2017-07-27 17:50
N沟道MOSFET管子接在电路中，好多芯片并联在一块，在不拆下的情况如何测量其好坏？
2024-09-20 06:39
