AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 20N50L-T3P-T-VB 产品简介20N50L-T3P-T-VB 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装形式为 TO247。具有较低的导
2024-07-09 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:22N60L-T3P-T-VB**VBsemi的22N60L-T3P-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压、低
2024-07-10 10:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AM4930N-T1-VB 产品简介AM4930N-T1-VB 是一款双 N+N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。它具有优秀的电性能和高度集成的特点,适合于需要高效能量转换
2024-12-02 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、20N50G-T3P-T-VB 产品简介20N50G-T3P-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO3P,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高压(600V)和高电流
2024-07-09 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:9N90L-T47-T-VB**9N90L-T47-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高达900V的漏源电压额定值,适合
2024-11-27 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### AM4922N-T1-PF-VB 产品简介AM4922N-T1-PF-VB 是一款双 N+N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,利用先进的沟槽技术。它具有低导通电阻(RDS
2024-12-02 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号