这款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换损耗 应用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 沟道
2025-04-16 11:25
这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:54
这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:20
这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 沟道
2025-04-16 10:35
CSD96371Q5M NexFET 功率级采用优化设计，可用于高功率高密度同步降压转换器。该产品集成了栅极驱动器IC和功率MOSFET，以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-08 09:11
CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款 高度优化的设计，用于在高功率高密度 DC/DC 中进行二次同步整流 转炉。该产品集成了驱动IC和超低R~上~权力 MOSFET完成同步整流功能。此外，PCB占用空间已 优化有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。
2025-08-07 18:11
CSD96370Q5M NexFET 功率级经过优化设计，适用于高功率、高密度 同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术，以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
2025-08-08 09:48
CSD97370Q5M NexFET 功率级是一种优化设计，适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术，以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
2025-08-08 09:37
CSD Register 卡片专用数据寄存器提供有关访问卡片内容的信息。CSD定义了数据格式、纠错类型、最大数据访问时间、是否可以使用DSR寄存器等。寄存器的可编程部分(以W或E标记的条目，见下
2024-09-18 10:17
这款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。2mm ×
2025-04-15 17:08
