The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
2010-10-08 21:55
33HIP2060, N-Channel Half-Bridge Power MOSFET ArrayThe HIP2060 is a dual MOSFET array topology in a
2009-05-12 11:11
导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。推荐产品：TSD5N65M；TSU5N65M；TSD5N
2020-04-30 15:13
描述TIDA-01512 采用 TPS53681 多相控制器和 CSD95490Q5MC 智能功率级，可实现适合为 NXP QorIQ 通信处理器供电的高性能设计。该控制器的双路输出分别面向具有四相
2022-09-19 07:51
描述此参考设计通过 19V-30V 输入提供隔离式 12V/10A，效率高于 93%。此设计使用带有 CSD18532Q5B 同步整流器的 UCC2897A 有源钳位控制器来实现高效且具有成本效益的解决方案，该解决方案可通过 24VDC 输入总线运行。
2022-09-27 07:02
`FDD5612的资料`
2012-12-21 15:47
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
W25Q64DW资料PDF欢迎下载
2013-12-18 09:22
CSD16323Q3是光电耦合器，靠光电晶体管输出。负载点同步降压转换器针对控制或同步FET进行了优化，描述连续漏极电流，TC = 25°C 60 A.ID连续漏极电流21 A.设计了
2020-07-02 11:48
N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD16407Q5 datasheet (Rev. A)
2022-11-04 17:22
