寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2：0]位用于选择比较器消隐窗口的来源，该功能可以用于防止电流调节在PWM起始时刻产生的尖峰电流。
2022-09-30 11:37
使用 cmp 命令进行数据库管理可能不是最直观的方法，因为 cmp 通常用于比较两个文件是否相同。然而，如果你的意图是使用 cmp 来检查数据库文件或备份文件的一致性，以下是一些技巧和步骤，可以帮助
2024-12-17 09:31
本文介绍了半导体研磨方法中的化学机械研磨抛光CMP技术。
2024-02-21 10:11
CMP在不同的语境下有不同的含义，一种是指芯片多处理器（Chip Multiprocessors），另一种是指“比较”（compare）的缩写。 CMP与编程语言中的比较功能
2024-12-17 09:30
CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点
2023-12-05 09:35
在前道加工领域：CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺段来分可以分为前段制程（FEOL）和后段制程（BE
2023-07-10 15:14
化学机械抛光（CMP）是晶圆制造的关键步骤，其作用在于减少晶圆表面的不平整，而抛光液、抛光垫是CMP技术的关键耗材，价值量较高，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，其品质直接影响着抛光效果，因而
2023-08-02 10:59
随着无线通信的不断发展，对可同时支持多个协议的设备的需求显著增加。此功能称为并发多协议（Concurrent Multiprotocol, CMP），允许设备同时在不同无线标准下运行，从而提高设备的多功能性和适应性。
2025-01-03 10:12
NS-3在多网卡处理和IP寻址策略方面具有很的好特性，为了提高MANET路由协议性能，采用了NS-3仿真工具对MANET路由协议进行分析，详细阐述了如何搭建NS-3仿真平台，并从网络规模和动态拓扑
2014-02-27 11:29
CMP装置被应用于纳米级晶圆表面平坦化的抛光工艺。抛光颗粒以各种状态粘附到抛光后的晶片表面。必须确实去除可能成为产品缺陷原因的晶圆表面附着物，CMP后的清洗技术极为重要。在本文中，关于半导体制造工序
2022-04-18 16:34
