High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS(on) • Easy to Parallel and Simple to Drive • Avalanche Ruggedness • Resistant to Latch-Up • Halogen Free, RoHS Compliant
2017-09-21 14:27
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
2023-11-01 13:48
了市场上第一款SiC MOSFET,采用平面栅结构的CMF20120D。到了2015年,罗姆率先实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产,这种结构更能够发挥
2023-03-18 00:07
G2S12020A 1200V 20A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容 C4D15120A C4D20120A 正温度系数,易于并联使用• 不受温度影响的开关特性• 最高工作温度175℃ •零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56
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2019-08-04 15:02
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2019-04-18 20:43
C4D20120D
2023-03-28 13:52
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2019-04-18 23:10