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High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS（on） • Easy to Parallel and Simple to Drive • Avalanche Ruggedness • Resistant to Latch-Up • Halogen Free， RoHS Compliant

2017-09-21 14:27

了市场上第一款SiC MOSFET，采用平面栅结构的CMF20120D。到了2015年，罗姆率先实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产，这种结构更能够发挥

2023-03-18 00:07

G2S12020A 1200V 20A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容 C4D15120A C4D20120A 正温度系数，易于并联使用• 不受温度影响的开关特性• 最高工作温度175℃ •零反向恢复电流• 零正向恢复电压

2016-06-23 17:56

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2019-08-04 15:02

型号：C4D20120D 品牌：

C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅

2022-06-03 19:07 立年电子科技 企业号

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2019-04-18 20:43

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2019-04-18 23:10