如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
2022-08-25 09:47
根据二极管1N914数据手册计算BV、IBV、n、IS、TT和CJO参数值，然后利用Dbreak建立其PSpice模型。
2023-10-28 14:52
有了以上模型，就好办了，尤其从运放这张图中，可以一眼看出，这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比如310V下，通过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振荡，这个
2019-06-19 09:07
本文章的主要内容详细介绍的是场效应管的参数符号和中文意思详细比照。 Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容
2019-10-04 12:52
在器件的手册中，会给出MOS管的寄生参数，其中输入电容Ciss就是从输入回路，即端口G和S看进去的电容，MOS管导通时的GS电容，是Cgd和Cds的并联。
2023-01-19 16:00
在最新发布的 PBlaze5 520 低功耗系列 NVMe SSD中，有一个全新功能NVMe-MI接口的带外管理，这是从PBlaze5 520系列最新增加的功能，那么这个带外管理指的是什么，又
2020-10-29 15:42
既然要解读datasheet，首先要找到它，如何快速找到器件的datasheet呢？最快速的方法就是拿来主义，直接找器件厂商要，销售或者FAE都会快速把最新的器件的datasheet发给你，最好再把设计designk
2022-11-12 14:23
EH Big Muff Pi 效果电路可能会更好地通过现代输入插孔电源和？DPDT旁路开关。晶体管和二极管的类型未知。任何高增益 NPN 晶体管和二极管1N914都可能工作。
2022-05-11 16:39
对于SiC FET，Cgdext的计算值为68pF，而且在进行模拟时，电路中包含一个20nH的串联寄生电感（Lpar）。在使用分立器件而且Cgd电容器的连接位置尽可能靠近FET的真实情况下，该寄生电感可以小一些。如果使用FET模块，则电容器可能需要置于模块外，这表示寄生电感会接近20nH。
2021-04-14 15:19
Datasheet的快速阅读能力，是每个工程师都应该具备的基本素养。无论是项目开始阶段的选型还是后续的软硬件
2018-09-01 11:18
