2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF
2022-09-19 09:33
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron M
2022-09-27 10:30
工程师于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向导通，那到底有还是没有体二极管？
2021-03-15 09:41
使用较低的Rds（on）可以降低传导损耗，而使用GaN可以减小芯片尺寸并降低动态损耗。当GaN与铝基异质结构结合时形成二维电子气体（2DEG）的能力导致了备受青睐的高电
2023-11-06 09:39
氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表，具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性，是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN 外延材料
2023-02-20 11:47
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构
2024-01-09 18:06
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移
2023-06-14 14:00
导电材料Ti3C2Tx MXene 被用来作为氮化镓高电子迁移率晶体管的栅电极，MXene和
2023-05-25 16:11
