同時達到低導通電阻，以及低雜散電容，所以元件可以做快速地切換。圖3 超接面元件與增強型模式氮化電晶
2019-09-19 09:05
;內容2月27日 下學期實驗介紹3月6日 實驗一：整流電路3月13日 實驗二：剪截電路與箝位電路3月20日&
2009-08-20 18:39
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT
2023-09-18 07:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(
2024-01-19 09:27
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高
2020-10-27 06:43
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高
2020-09-23 10:46
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
半導體放電管是基於晶閘管原理和結構的一種兩端負阻器件。可以吸收突波，抑制過高
2014-03-13 10:32
品尺寸盤面型150(W) ×144(H) ×186 (D) mmRelay card(選購)6組relayDI/DO card(選購)D I : 9點電
2013-07-25 13:58
skipping)，以減少功率電晶體的切換次數或切換頻率達到高效率外，也必須仰賴具有較低功率損耗的功率電
2018-12-05 09:48
