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型号：C3M0065090J 品牌：

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2022-05-22 10:42 立年电子科技 企业号

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900 V、65 mΩ、35 A、TO-263-7 封装、第 3 代分立 SiC MOSFETWolfspeed 扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装领域的领先地位，具有宽爬电距离和漏极

2023-07-24 13:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子

2016-01-04 17:00

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2021-01-29 11:47

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2021-01-29 11:27

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2021-02-19 14:27

NL5684/c3j/a thyratron tube 2.5 amperes dc-30 amperes peak

2008-07-05 08:22

型号：C3M0065090D 品牌：

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2022-05-22 10:28 立年电子科技 企业号