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900 V、65 mΩ、35 A、TO-263-7 封装、第 3 代分立 SiC MOSFETWolfspeed 扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装领域的领先地位，具有宽爬电距离和漏极
2023-07-24 13:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
2023-03-27 14:33
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子
2016-01-04 17:00
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2021-01-29 11:47
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2021-01-29 11:27
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2021-02-19 14:27
NL5684/c3j/a thyratron tube 2.5 amperes dc-30 amperes peak
2008-07-05 08:22
STM8S001J3M3的原理图硬件电路，带按键防锁功能(这个太重要了！！)，带iic接口，可用于设计参考。
2019-09-25 20:01
900 V、65 mΩ、36 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC MOSFETWolfspeed 扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装领域的领先地位，具有宽爬电距离和漏极
2023-07-24 13:34 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
