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BSN20系列双向电平移位器在IIC总线和其他系统中的应用 With a single MOS-FET a bi-directional level shifter circuit can
2009-05-12 08:50
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=1.3Ω SOT23
2023-03-28 12:55
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=173mA RDS(ON)=15Ω SOT23
2023-03-24 14:48
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=173mA RDS(ON)=2.8Ω SOT23
2023-03-24 14:48
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=100mA RDS(ON)=3.5Ω SOT23
2023-03-24 10:51
型号 BSN20丝印 VB162K品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 60V- 最大电流 0.3A- 导通电阻 2800mΩ @10V, 3000m
2023-10-28 09:33 微碧半导体VBsemi 企业号
。其中，使能信号RE和DE可采用一个GPIO控制，节省资源，因为加了一个三极管BSN20，所以在GPIO25输出高电平时，RE=DE=0V，进入接收模式；GPIO25输出低电平时，RE=DE=3.3V，进入发送模式。在A上加上拉，B上加下拉电阻，主要原因是：RS-485总线在空闲（idle）状态时，电平
2021-09-13 08:45
60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BSN20BK
2023-03-02 23:02
表面贴装型 N 通道 50 V 173mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB
2023-11-01 13:49
