### AP2852GO-VB 产品简介AP2852GO-VB 是一款双N+P沟道 MOSFET，采用 TSSOP8 封装。它结合了双N沟道和P沟道的优势，适合在需要同时控制正负电压的电路中使
2024-12-17 14:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9926GO-VB MOSFET 产品简介9926GO-VB是一款双N沟道共漏极MOSFET，采用Trench技术，封装为TSSOP8。具有低导通电阻和适中的电流容量，适合于低压应用和需要
2024-11-26 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的2852GO-VB是一款高性能的双通道N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，封装在TSSOP8中。这款MOSFET适用于需要双通道开关的应用场景，具有较低
2024-07-11 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品概述：2851GO-VB2851GO-VB是一款双N+P沟道MOSFET，采用沟道技术，具有高效率和低功耗特性。它采用TSSOP8封装，适用于空间受限的应用场景。这款MOSFET具有低导
2024-07-11 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9924GO-VB 产品简介AP9924GO-VB是一款采用TSSOP8封装的多功能场效应管（MOSFET），具有共源N+N-沟道配置。它设计用于应对低压应用中的高电流需求，适合需要
2024-12-26 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9924GO-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9924GO-VB 是一款双N沟道MOSFET，采用共源极配置（Common Drain），封装为TSSOP8。该器件具有低电阻
2024-11-26 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9926GO-VB MOSFET 产品简介AP9926GO-VB 是一款具有共源极的双N+N沟道功率MOSFET，采用TSSOP8封装。该器件利用先进的Trench技术制造，具备优异的导
2024-12-26 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP4425GO-VB 产品简介AP4425GO-VB 是一款高性能单通道 P-Channel MOSFET，采用 TSSOP8 封装，适用于负载开关和功率管理应用。它具有低导通电阻、高电流
2024-12-19 11:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：** 4425GO-VB **封装：** TSSOP8 **配置：** 单P沟道MOSFET **主要参数：**- 漏源电压 (VDS
2024-11-08 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP2851GO-VB是一款双N+P沟道MOSFET，采用TSSOP8封装，适合于需要高效能量管理和功率控制的应用。该型号结合了双沟道设计，支持双极性操作，并具有优异的电性能特征
2024-12-17 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
