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这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 30v大电流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，

2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号

PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8015 5V0.2A

2022-01-12 11:44 深圳市骊微电子科技 企业号

一、概述PN6795D开关电源芯片方案集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D开关电源芯片方案为

2024-12-12 09:23 东莞市中铭电子 企业号

开关电源，PN8307P包括同步整流控制器及高雪崩能力内置功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，AP5811是一款高集成度的快充

2024-10-30 15:56 东莞市中铭电子 企业号

CX806集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。 内置200V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了

2022-12-08 19:41 深圳上大科技 企业号

的过压箝位到电压限值。这是通PN结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬变电压时， TVS会将瞬变箝位到小于保护器件的击穿电压的预定水平

2022-06-21 14:41 常州鼎先电子有限公司 企业号

PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为

2021-11-08 16:16 深圳市骊微电子科技 企业号

功能。功能特性相較於其他產品做出了許多優化的地方，包括了耐壓提升到85V、輸出電流隨負載與輸出壓變化率降低，以及在PWM調光優化調光平滑度(階梯現象)的問題，允許

2024-10-16 10:06 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号

控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，PN8307P包括同步整流控制器及高雪崩能力内置功率MOSFET,用于在高性能AC/D

2024-08-19 10:56 东莞市中铭电子 企业号