### 产品简介2SK3702JS-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。具有60V的漏源电压和45A的漏极电流,采用先进的沟槽技术,适用于中功率应用中的高效开关和功率管
2024-10-30 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:40V- **栅极-源极
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号:5865NG-VB**- **封装类型:TO252**- **配置:单N沟道**- **漏源电压 (VDS):60V**- **栅源电压 (VGS):±20V**- **
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号