高效能和可靠性的电源管理和功率转换系统。### AP9924GO-VB 详细参数说明- **封装类型**: TSSOP8- **配置**: 共源N+N-沟道- **漏
2024-12-26 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
承载能力和优秀的热特性,适合要求高效率和可靠性的电子系统设计。### 详细参数说明- **型号:** AP4425GO-VB- **封装:** TSSOP8- *
2024-12-19 11:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9926GO-VB MOSFET 产品简介9926GO-VB是一款双N沟道共漏极MOSFET,采用Trench技术,封装为TSSOP8。具有低导通电阻和适中的电流容量,适合于低压应用和需要
2024-11-26 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9924GO-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9924GO-VB 是一款双N沟道MOSFET,采用共源极配置(Common Drain),封装为TSSOP8。该器件具有低电阻
2024-11-26 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9926GO-VB MOSFET 产品简介AP9926GO-VB 是一款具有共源极的双N+N沟道功率MOSFET,采用TSSOP8封装。该器件利用先进的Trench技术制造,具备优异的导
2024-12-26 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的2852GO-VB是一款高性能的双通道N沟道和P沟道MOSFET,采用Trench技术,封装在TSSOP8中。这款MOSFET适用于需要双通道开关的应用场景,具有较低
2024-07-11 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品概述:2851GO-VB2851GO-VB是一款双N+P沟道MOSFET,采用沟道技术,具有高效率和低功耗特性。它采用TSSOP8封装,适用于空间受限的应用场景。这款MOSFET具有低导
2024-07-11 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:** 4425GO-VB **封装:** TSSOP8 **配置:** 单P沟道MOSFET **主要参数:**- 漏源电压 (VDS
2024-11-08 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号