材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27
30 GHz由GaN PA和其他GaAs功能器件塑封形成的2W集成前端模块。 通过使用包括陷阱和热效应以及测量结果的精确非线性FET模型，保证了电路设计的成功。将负载牵引测量与仿真结果进行比较验证了
2020-12-21 07:09
GaN PA 设计？）后，了解I-V 曲线（亦称为电流-电压特性曲线）是一个很好的起点。本篇文章探讨I-V 曲线的重要性，及其在非线性GaN 模型（如Modelithics Qorvo
2019-07-31 06:44
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13
导致更高的过冲电压、振铃/振荡和电磁兼容性（EMC）问题，从而导致E-HEMT过应力。 应用笔记“GaN EHEMT的PCB布局考虑因素”（GN009）概述了使用嵌入式GaNPX封装E-
2023-02-21 16:30
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53
什么是GaN？如何面对GaN在测试方面的挑战？
2021-05-06 07:52
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而
2019-06-26 06:14
