宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简
2023-10-10 16:21
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂
2023-02-14 09:31
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高频和低导通电阻的特性，近来在功率开关应用中引起了广泛关注。二维电子气（2DEG）是由AlGaN/GaN异质结中强烈的自发和
2023-11-27 10:37
最近，AlGaN/GaN肖特基二极管（SBD）受到了越来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高导通电阻小等特点，因而被业界广泛地认为是下一代功率器件的候选者。但是，目前对
2023-02-13 09:33
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子
2023-06-14 14:00
引言 包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaN/GaN基本的研究结果令人印象深刻。双极***引力。然而，由于普通材料的活化能较大，已经证明在
2022-07-12 17:04
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率
2023-04-29 16:50
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和
2023-12-07 17:27
在实际应用中，为实现失效安全的增强模式（E-mode）操作，科研人员广泛研究了基于凹槽栅结构的MIS栅、p-GaN regrowth栅增强型GaN HEMT器件。在实际的器件制备过程中，精确控制栅极凹槽刻蚀深度、减小
2020-10-09 14:18
这本文中，我们提出了一种精确的，低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法，用于精确的势垒凹陷应用，使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化允许获得宽范围的蚀刻速率~0.6至~11纳米/周期，而相对于未蚀刻的表面，表面粗糙度没有任何可观察到的增加。
2021-12-13 16:07
