本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负
2019-10-09 08:00
诸多应用难点，极高的开关速度容易引发振荡，过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压
2023-09-18 07:27
GAN的数学推导和案例应用
2020-04-13 09:34
为了满足数据中心快速增长的需求，对电源的需求越来越大更高的功率密度和效率。在本文中，我们构造了一个1.5 kW的LLC谐振变换器模块，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01
图像生成对抗生成网络ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48
的原型机。对于大量原型机的实时监视会提出一些有意思的挑战，特别是在GaN器件电压接近1000V，并且dv/dts大于200V/ns时更是如此。一个经常用来确定功率FET是否能够满足目标应用要求的图表是安全
2019-07-12 12:56
描述基于 PCB 的特斯拉线圈 GaN 版
2022-07-01 08:37
GaN技术实现快速充电系统
2023-06-19 06:20
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47
