电子发烧友

型号：QPD1016L：高效<b class='flag-s-7'>GaN</b> <b class='flag-s-7'>HEMT</b> RF功率晶体管 品牌：

QPD1016L：高效GaN HEMT RF功率晶体管产品概述QPD1016L是Qorvo推出的一款高效GaN HEMT RF功率晶体管，专为高频应用而设计。其卓越的功

2024-11-01 14:23 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：QPD1035：高效<b class='flag-s-7'>GaN</b> <b class='flag-s-7'>HEMT</b> RF功率晶体管 品牌：

QPD1035：高效GaN HEMT RF功率晶体管产品概述QPD1035是Qorvo推出的一款高性能GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）RF功率晶体管，专为高频应用

2024-11-01 14:26 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：QPD1035L：高效<b class='flag-s-7'>GaN</b> <b class='flag-s-7'>HEMT</b> RF功率晶体管 品牌：

QPD1035L：高效GaN HEMT RF功率晶体管产品概述QPD1035L是Qorvo推出的一款高效GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）RF功率晶体管，专为高频应

2024-11-01 14:22 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：CMPA0060002D 品牌：

电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽与 Si 和 GaAs 晶体管相比。 该 MMIC 采用分布式（行波）

2022-05-18 10:06 立年电子科技 企业号

型号：CMPA0060002F-AMP 品牌：

Cree 的 CMPA0060002F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高的击穿率

2022-05-18 09:44 立年电子科技 企业号

型号：QPD1016L <b class='flag-s-7'>GaN</b>射频晶体管 品牌：

Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC

2024-02-26 19:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：QPD0007 <b class='flag-s-7'>GaN</b>射频晶体管 品牌：

Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管

2024-02-26 19:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：CMPA0060002F1-AMP 品牌：

的击穿率电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽和砷化镓晶体管。 该 MMIC 采用分布式（行波

2022-05-17 12:09 立年电子科技 企业号

型号：CGHV60075D5 品牌：

 一、CGHV60075D5产品描述1.产品特性CGHV60075D5   75 W, 6.0 GHz, GaN HEMT DieDescriptionCree’s

2023-11-07 15:31 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：CGH40045F实物 品牌：

Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏电源轨运行，为各种

2024-01-03 12:33 立年电子科技 企业号