重要作用，这将在下面进一步展开。晶体管开启。像场效应晶体管一样，通过施加高于resp的栅极 - 源极电压。低于阈值电压。在关断状态下，p-GaN栅极通过提升AlGaN-GaN
2023-02-27 15:53
跨导为121 mS/mm，阈值电压通常为-3.0 V。这些值均与传统金属电极器件相似，可以表明ITO栅极和制造工艺不会在器件表面引入明显的附加电荷。据其他的可靠报道，ITO和AlGaN/GaN之间
2020-11-27 16:30
电机设计中对于GaN HEMT的使用GaN HEMT的电气特性使得工程师们选择它来设计更加紧凑、承受高压和高频的电动机，综上所述这类器件有如下优点：较高的击穿
2019-07-16 00:27
诸多应用难点，极高的开关速度容易引发振荡，过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压
2023-09-18 07:27
和 AlGaN。AlGaN 材料对于紫外 (UV) 发射器和高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构很重要，因此已经在整个 Al 成分范围内研究了 AlGaN 光学特性
2021-07-08 13:08
退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质。实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能。为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量
2010-04-24 09:02
开关速度比硅功率晶体管快。此功能与GaN HEMT的小尺寸相结合，使该器件具有更高的能源效率，同时为外部组件创造了更多空间。这些设备还可以在更高的电压下运行。简化的GaN
2020-09-23 10:46
为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高
2020-10-27 06:43
蓝宝石或碳化硅（SiC）。主要应用是用于高频的RF功率放大器。由于它们的高电子迁移率和高电压容限，这些器件可以在千兆赫兹范围内产生数百瓦的功率。 这种晶体管称为高电子迁移率晶体管（HEMT）或伪晶HEMT
2017-05-03 10:41
