本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负
2019-10-09 08:00
基于温度步进应力实验，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现： 在结温为 139 ～ 200 ℃ 时，AlGaN /
2020-06-23 08:00
）下工作，可能会导致显著的负阈值电压偏移，这与导通电阻的降低密切相关；2）该过程的时间常数在10-100s之间，并由温度加速，活化能等于0.37ev；3）阈值电压的变化是可恢复的，具有对数动力学。
2019-10-09 08:00
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简
2023-10-10 16:21
功率AlGaN_GaN肖特基二极管结构优化设计_徐儒
2017-01-08 10:30
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂
2023-02-14 09:31
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高频和低导通电阻的特性，近来在功率开关应用中引起了广泛关注。二维电子气（2DEG）是由AlGaN/GaN异质结中强烈的自发和
2023-11-27 10:37
最近，AlGaN/GaN肖特基二极管（SBD）受到了越来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高导通电阻小等特点，因而被业界广泛地认为是下一代功率器件的候选者。但是，目前对
2023-02-13 09:33
利用一个简单的示波器装置，研究了由正向栅偏压引起的gan基金属绝缘体半导体hemts阈值电压漂移（vth）的快速动力学。我们发现，vth的对数恢复时间依赖性，以前发现的恢复时间从10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子
2023-06-14 14:00
